（原标题：三星高层承认：NAND缺乏竞争力个人配资，需加倍努力）
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三星电子 NAND 开发部门负责人呼吁员工加倍努力，在未来技术上重新获得对竞争对手的超强竞争优势。
据业内人士4月29日透露，三星电子内存业务部闪存开发室室长、负责NAND开发的Hur Sung-hoi在月中举行的全体员工大会上向员工表示：“目前，我们的NAND产品与其他公司相比缺乏技术竞争力。” NAND是一种非易失性存储器，即使在断电的情况下也能保留数据。它经过加工后用于固态硬盘（SSD）等存储设备。
虽然有关三星半导体危机的讨论主要集中在用于人工智能 (AI) 半导体和代工 (合同芯片制造) 的高带宽存储器 (HBM) 上，但现在人们开始自我批评，甚至 NAND 也可能会落后。
事实上，在三星电子稳坐全球第一宝座的NAND领域，警告信号接连出现。证券分析师估计，三星电子今年第一季度NAND业务的亏损可能高达数千亿韩元。去年第四季度，NAND市场份额为33.9%，低于上年同期的36.6%。
Hur Sung-hoi特别强调，四级单元（QLC）技术的竞争劣势尤为突出，而该技术在数据中心应用领域正日益受到关注。随着全球大型科技公司纷纷投资数据中心，预计对基于QLC的NAND（能够以低功耗存储大量数据）的需求将会增加。这意味着，如果三星电子无法改进其QLC技术，未来可能会落后于竞争对手。
目前，三星电子的NAND闪存主要用于智能手机和个人电脑，这些闪存基于三层单元（TLC）技术，具有良好的耐用性和低延迟性。因此，三星电子正在向TLC技术投入大量资源。许尔认为，只关注眼前问题可能会导致错失未来的增长引擎。
三星电子内部期待Hur Sung-hoi的彻底反省能为扭转局面创造动力。这是因为，尽管三星电子一直倾向于掩盖NAND竞争力的下滑，但坦诚地分享这一事实可能会带来整体技术发展的改变。
三星电子相关人士表示，“几年前，包括Hur Sung-hoi在内的高层管理人员对QLC技术也持否定态度，整个组织的眼光都只着眼于当前”，并补充道，“现在高层管理人员已经开始诚实地看待形势，积极的一面是我们获得了新的发展势头”。
三星正在开发400多层3D NAND
去年，三星表示，正在开发第九代286 层3D NAND ，并正在开发 400 层技术。
据介绍，这款 1TB NAND 芯片密度为 28GB/mm2 ，拥有 400 多层堆叠和三级单元 (3b) 格式，将成为三星 V-NAND 技术的第十代产品。第九代芯片采用双串堆叠，共 2 x 143 个通道，并提供 TLC 和QLC（4 位/单元）两种格式。第九代 V-NAND 支持高达 3.2Gbps 的数据速度，而新的 400 多层堆叠技术则支持每针 5.6Gbps 的速度，速度提高了 75%。这一速度似乎既适用于 PCIe 5，也适用于速度两倍的 PCIe 6 互连。
“WF-Bonding” 指的是晶圆对晶圆的键合，即将两片独立的 NAND 晶圆（其上已制作好单元和/或电路）相互连接。这种键合能够优化每片晶圆的制造工艺，从而提升可扩展性、性能和良率。
生产层数最高的是SK海力士，为321层，其次是三星，为286层，以及美光，为276层。西部数据和铠侠的BiCS工艺有218层，目前正在开发300多层的BiCS第9代工艺。SK海力士的子公司Solidigm，其QLC格式的192层技术，可以说又回到了层数的黑暗时代，尽管该公司刚刚宣布推出一款采用这种3D NAND技术的122 TB高容量SSD。
我们知道一些存储供应商一直在讨论 256 TB 的驱动器，并假设这些驱动器将采用比目前更先进的层数。三星现有的 QLC BM1743 SSD 容量为 61.44 TB，采用 176 层结构；这是其第七代 V-NAND。三星 V9 的层数为 286，V10 的层数超过 400，使得 256 TB 甚至 512 TB 等更高容量成为可能，同时也使智能手机、车载 ADAS 系统等使用的更高容量嵌入式 SSD 成为可能。
我们尚不清楚三星 400 多层 NAND 芯片是否会投入生产，以及何时投入生产。这将由新管理层决定。
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